dissipation de puissance

импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода
P_рас.и
P_DPm
Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• сверхвысокочастотные диоды

EN

• pulse r. f. power dissipation

FR

• dissipation de puissance dans la cas de train d'ondes R. F.

103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. Pulse r. f. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R. F.

P_{рас. и}

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода
P_рас
Р_D
Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• сверхвысокочастотные диоды

EN

• R. F. с. w. power dissipation

FR

• dissipation de puissance dans le cas d'une onde R. F. entretenue

102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. R. F. с. w. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R. F. entretenue

P_рас

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

обратная рассеиваемая мощность диода
P_обр, P_R
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse power dissipation

FR

• dissipation de puissance en inverse

13. Обратная рассеиваемая мощность диода

E. Reverse power dissipation

F. Dissipation de puissance en inverse

P_обр

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

прямая рассеиваемая мощность диода
Р_пр, Р_F
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• forward power dissipation

DE

• Durchlassverlustleistung der Diode

FR

• dissipation de puissance en direct

12. Прямая рассеиваемая мощность диода

D. Durchlassverlustleistung der Diode

E. Forward power dissipation

F. Dissipation de puissance en direct

P_пр

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании обратного тока.
Обозначение
P_{нпс,обр}
P_R
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse power dissipation

FR

• puissance dissipée à l’état bloqué dans Ie sens inverse

95. Рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора

Е. Reverse power dissipation

F. Puissance dissipée à l’état bloqué dans le sens inverse

P_{нпс,обр}

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании обратного тока

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в обратном проводящем состоянии.
Обозначение
P_пс
P_RC
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse conducting power dissipation

FR

• puissance dissipée à l’état conducteur dans Ie sens inverse

97. Рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии тиристора

Е. Reverse conducting power Dissipation

F. Puissance dissipée à l’état conducteur dans le sens inverse

P_пс

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в обратном проводящем состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

рассеиваемая мощность при включении тиристора
Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии.
Обозначение
P_вкл
P_TT
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-on power dissipation

FR

• puissance dissipée de d’amorçage

99. Рассеиваемая мощность при включении тиристора

E. Turn-on power dissipation

F. Puissance dissipée d’amorcage

P_вкл

Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора
Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии тиристора в области пробоя при нагрузке одиночными импульсами тока.
Обозначение
P_{обр,удр}
P_RSM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• surge reverse power dissipation

FR

• puissance dissipée de surcharge accidentelle dans Ie sens inverse

96. Ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора

Е. Surge reverse power dissipation

F. Puissance dissipée de surcharge accidentelle dans le sens inverse

P_{обр,удр}

Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии тиристора в области пробоя при нагрузке одиночными импульсами тока

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
-
Обозначение
P_max
P_DSmax
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• power dissipation

DE

• maximal zulässige Dauerverlustleistung

FR

• dissipation de puissance

импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_И
P_M
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak power dissipation

DE

• Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête

63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Impulsverlustleistung

E. Peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crète

Р_и

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора
Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности управления тиристора.
Обозначение
P_у,и
P_GM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak gate power dissipation

FR

• puissance dissipée de pointe de gâchette

105. Импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора

E. Peak gate power dissipation

F. Puissance dissipée de pointe de gâchette

p_y,и

Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности управления тиристора

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.
Обозначение
P_max
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• maximum admissible power dissipation

DE

• maximal zulässige Verlustleistung

FR

• puissance dissipée maximale admissible

139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Maximal zulässige Verlustleistung

E. Maximum admissible power dissipation

F. Puissance dissipée maximale admissible

Р_max

Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

обратная рассеиваемая мощность управления тиристора
-
Обозначение
P_у,обр
P_RG
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse gate power dissipation

FR

• puissance dissipée de gâchette inverse

104. Обратная рассеиваемая мощность управления тиристора

E. Reverse gate power dissipation

F. Puissance dissipée de gâchette inverse

p_y,обр

-

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора.
Обозначение
P_К
P_C
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• collector (d.c.) power dissipation

DE

• Gleichstrom Kollektorverlustleistung

FR

• puissance dissipée (continue) au collecteur

64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung

E. Collector (d.c.) power dissipation

F. Puissance dissipée (continue) au collecteur

Р_К

Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

прямая рассеиваемая мощность управления тиристора
-
Обозначение
P_у,пр
P_FG
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• forward gate power dissipation

FR

• puissance dissipée directe de gâchette

103. Прямая рассеиваемая мощность управления тиристора

E. Forward gate power dissipation

F. Puissance dissipée directe de gâchette

p_y,пр

-

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

рассеиваемая мощность в закрытом состоянии тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в закрытом состоянии тиристора.
Обозначение
P_зс
P_D
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• off-state power dissipation

FR

• puissance dissipée à l’état bloqué

91. Рассеиваемая мощность в закрытом состоянии тиристора

Е. Off-state power dissipation

F. Puissance dissipée à l’état bloqué

P_зс

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в закрытом состоянии тиристора

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в открытом состоянии.
Обозначение
P_ос
P_T
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• on-state power dissipation

FR

• puissance dissipée à l’état passant

93. Рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора

Е. On-state power dissipation

F. Puissance dissipée à l’état passant

P_ос

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

рассеиваемая мощность при выключении тиристора
Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение.
Обозначение
P_выкл
P_RQ, p_RQ
P_DQ, p_DQ
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-off power dissipation

FR

• puissance dissipée de désamorçage

100. Рассеиваемая мощность при выключении тиристора

E. Turn-off power dissipation

F. Puissance dissipée de désamorcage

p_выкл

Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа